如今，電動(dòng)汽車在城市道路上出現(xiàn)得越來(lái)越頻繁，其電源系統(tǒng)中的車規(guī)級(jí)功率芯片在車用動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師心中也越來(lái)越重要。三安集成超前部署了寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，以支持高壓、大電流和高溫系統(tǒng)設(shè)計(jì)，幫助工程師設(shè)計(jì)出市場(chǎng)中所需要的高效、低耗且具有競(jìng)爭(zhēng)力的電動(dòng)汽車。

三安集成發(fā)布的碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)，持續(xù)支持電動(dòng)汽車從硅基IGBT向碳化硅MOSFET架構(gòu)的轉(zhuǎn)型。電動(dòng)汽車的電源系統(tǒng)可以突破硅基器件的溫度和電壓限制，而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的功率密度，使用碳化硅MOSFET的動(dòng)力系統(tǒng)更小、更輕、更高效，可以減少近80%的功率損耗，還可以將車輛的行駛距離延長(zhǎng)10%，緩解車主的“續(xù)航焦慮”。