如今，電動汽車在城市道路上出現得越來越頻繁，其電源系統中的車規級功率芯片在車用動力系統設計工程師心中也越來越重要。三安集成超前部署了寬禁帶半導體產業鏈，以支持高壓、大電流和高溫系統設計，幫助工程師設計出市場中所需要的高效、低耗且具有競爭力的電動汽車。

三安集成發布的碳化硅MOSFET量產平臺，持續支持電動汽車從硅基IGBT向碳化硅MOSFET架構的轉型。電動汽車的電源系統可以突破硅基器件的溫度和電壓限制，而實現更快的開關速度和更高的功率密度，使用碳化硅MOSFET的動力系統更小、更輕、更高效，可以減少近80%的功率損耗，還可以將車輛的行駛距離延長10%，緩解車主的“續航焦慮”。